BD139 Transistor BJT NPN 80V - 1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 40 y los 250. 

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y driver o en aplicaciones de Radio, Televisión, Equipos electrónicos de medicina, Amplificadores de alta potencia y potencia media.

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-126
• Transistor complementario BD140
• Transistor equivalente a BD135, BD137, NTE184, NTE375
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 80V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 80V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 1.5A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
• Ganancia Máxima (hFE): 250
• Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz